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西安交通大学910CMOS集成电路设计2019年考试大纲
发布日期:2019-06-11 08:54:11 点击:1051

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考试大纲

(数字集成电路部分

1. CMOS反相器的静态特性和动态特性,反相器功耗;

2. CMOS传输门;

3. CMOS组合逻辑电路;

4. CMOS时序逻辑电路(RS触发器、锁存器、边沿触发的D触发器)

5. 动态CMOS逻辑电路(预充电-求值(PE)逻辑、多米诺逻辑)

6. 数字集成电路连线模型、延时、寄生参数;

7. 数字集成电路设计流程、设计方法 

  CMOS模拟集成电路部分

8. 单级放大器、差动放大器、无源与有源电流镜;

9. 运算放大器结构与设计;

10. 模拟集成电路中的反馈;

11. 放大器的频率特性与频率补偿 

参考书目:

CMOS数字集成电路部分:12均可

1、 Sung-Mo Kang, Yusuf Leblebici, Chulwoo Kim 著,王志功,窦建华 译,CMOS数字集成电路——分析与设计(第4版),电子工业出版社,20154出版,ISBN:9787121249877

2、 Rabaey J著,周润德等译,数字集成电路——电路、系统和设计(第二版),电子工业出版社,2010111日出版,ISBN9787121119828

CMOS模拟集成电路部分

3、 模拟CMOS集成电路设计,[]毕查德.拉扎维 著陈贵灿程军张瑞智等译,西安交通大学出版社20032月出版,ISBN9787560516066

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